深層次了解下邊的結(jié)論對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是非常關(guān)鍵的。

1）材料的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性越好，屏蔽效能越高，但實(shí)際上的金屬材料無(wú)法兼顧這兩個(gè)層面，比如銅的導(dǎo)電性不錯(cuò)，可是導(dǎo)磁性很差；鐵的導(dǎo)磁性不錯(cuò)，可是導(dǎo)電性比較差。應(yīng)當(dāng)選用什么材料，按照實(shí)際屏蔽主要是依賴反射損耗、或是吸收損耗來(lái)確定是偏重于導(dǎo)電性或是導(dǎo)磁性；

2）頻率較低的情況下，吸收損耗不大，反射損耗是屏蔽效能的主要是機(jī)理，要盡可能提升反射損耗；

3）反射損耗與輻射源的特點(diǎn)有關(guān)，對(duì)電場(chǎng)輻射源，反射損耗很大；對(duì)磁場(chǎng)輻射源，反射損耗不大。因而，對(duì)磁場(chǎng)輻射源的屏蔽主要是借助材料的吸收損耗，應(yīng)當(dāng)選用磁導(dǎo)率較高的材料做屏蔽材料。

4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)，對(duì)電場(chǎng)輻射源，距離越近的，則反射損耗越大；對(duì)磁場(chǎng)輻射源，距離越近的，則反射損耗越??；合理分辨輻射源的性質(zhì)，確定它應(yīng)當(dāng)靠近屏蔽體，或是原理屏蔽體，是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一個(gè)關(guān)鍵具體內(nèi)容。

5）頻率較高時(shí)，吸收損耗是主要是的屏蔽機(jī)理，這時(shí)候與輻射源是電場(chǎng)輻射源或是磁場(chǎng)輻射源沒(méi)有太大的關(guān)系。

6）電場(chǎng)波是最容易屏蔽的，平面波次之，磁場(chǎng)波是最不容易屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場(chǎng)，難以屏蔽。對(duì)低頻磁場(chǎng)，要選用高導(dǎo)磁性材料屏蔽，影響到屏蔽材料的多種要素乃至選用高導(dǎo)電性材料和高導(dǎo)磁性材料復(fù)合起來(lái)的材料。

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